半導体デバイス第2版 基礎理論とプロセス技術 [ S．M．シー ]

基礎理論とプロセス技術 S．M．シー 南日康夫 産業図書ハンドウタイ デバイス シー,S.M. ナンニチ,ヤスオ 発行年月：2004年03月30日 予約締切日：2004年03月23日 ページ数：499p サイズ：単行本 ISBN：9784782855508 原書第2版 ジィー，S．M．（Sze,S.M.） 現在、台湾National　Chiao　Tung　UniversityのUMC　Chair　ProfessorでありNational　Nano　Device　Laboratoriesの所長を務めている。長年にわたって、米国ベル研究所の研究員であった。Sze教授は、不揮発性半導体メモリの共同発明者でもある。また、多くの半導体教科書の執筆者としても良く知られており、中でもPHYSICS　OF　SEMICONDUCTOR　DEVICESは古典的な参考書とされている。1991年に半導体デバイスにおける基礎的、パイオニア的貢献によりIEEE　J．J．Ebers賞を受賞している。PhDは、固体電子工学に関して1963年スタンフォード大学より受けている 南日康夫（ナンニチヤスオ） 1956年東京大学工学部応用物理学科卒業。1960年スタンフォード大学研究員。1966年工学博士。1979年筑波大学物質工学系教授。1997年筑波大学名誉教授。現在、財団法人富山県新世紀産業機構（科学技術コーディネータ） 川辺光央（カワベミツオ） 1961年大阪大学工学部電気工学科卒業。1967年大阪大学基礎工学部助手。1969年工学博士。1975年グラスゴー大学研究員。1978年筑波大学物質工学系助教授。1984年筑波大学物質工学系教授。2002年筑波大学名誉教授。現在、独立行政法人物質・材料研究機構（特別研究員） 長谷川文夫（ハセガワフミオ） 1963年東北大学工学部電子工学科卒業。1965年日本電気株式会社中央研究所入社。1973年工学博士。シェフイールド大学研究員。1981年筑波大学物質工学系助教授。1988年筑波大学物質工学系教授。現在、筑波大学物理工学系教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 第1部　半導体物理（エネルギーバンドと熱平衡状態におけるキャリア密度／キャリアの輸送現象）／第2部　半導体デバイス（pーn接合／バイポーラ・トランジスタとその関連デバイス／MOSFETと関連デバイス　ほか）／第3部　半導体技術（結晶成長とエピタキシィ／薄膜の形成／リソグラフィとエッチング　ほか） 本書は、最近の半導体デバイス物理と作製技術のほとんどを網羅した入門書である。デバイス形成の各段階において、評価と作製技術の理論と実際が集積回路に重点をおきつつ述べられている。 本 科学・技術 工学 電気工学